精拋光工藝參數對硅片表面有什么樣的影響規律。平面拋光機了解到精拋光的主要目的是去除前道工序留下的損壞層，因此拋光去除量的大小直接影響硅片表面的Haze值。同時由于拋光的過程中存在機械去除和化學去除兩種機制，而這兩種機制的匹配程度也對硅片表面的Haze值有著重要影響，當機械去除作用占主導地位時，硅片表面Haze值較小，但是如果機械去除作用占主導地位時，硅片表面Haze值較小，但機械去除作用過大時，會造成硅片表面的局部損壞，如劃傷等，當化學去除作用占主導地位時，硅片表面會發生過度腐蝕的現象，造成硅片表面Haze值較大。

現在社會發展電路發展的越來越快，硅片的Haze值數對于現代半導體器件工藝的影響也越來越受到各種各樣的人的不斷重視，方達研磨在實驗研究出精拋光工藝參數對硅片表面的影響。結果表明，隨著拋光時間的不斷延遲，硅的去除量也會逐漸的增大，硅片表面Haze值逐漸降低，同時拋光過程中機械作用與化學作用的協同作用對Haze值也有較大影響。隨著拋光液溫度的降低與拋光液體積的不斷減小，化學作用從而減弱，硅片表面的Haze值也隨著不斷減小，拋光壓力的不斷增大，機械作用從而起到主導的作用，硅片表面的Haze值也逐漸的降低。隨著硅去除量的增大 拋光液溫度的下降 拋光液體積流量的降低 拋光壓力的增大 硅片表面Haze值基本是保持不變的。